產品介紹
Product銅蝕刻：
可滿足一般封裝製程之RDL、Copper Pillar Bump、LF Bump製程需求之外，對於半導體先進封裝製程，例如Fine Line RDL、Cu/Ni/Au RDL、Microbump、Ni/Au Pad元件亦有相對應之產品。
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鈦蝕刻：
封裝製程中的UBM結構 (Under Bump Metallization) ，常以濺鍍鈦層作為濺鍍銅層與底材之間的黏著層與擴散阻障層。鈦蝕刻異常，可能造成元件短路，抑或是影響到其可靠度。目前可提供氫氟酸、酸性氟鹽系統之鈦蝕刻液，能有效抑制對Cu、Al、Lead frame solder的蝕刻。當客戶端無法有效處理含氟廢水時，亦可提供鹼性，搭配雙氧水之鈦蝕刻液作為解決方案。
其他應用範例如下
高速銅蝕刻應用（去銅刺）：
高速銀蝕刻應用（去銀刺）：
| 品名 | 簡介 | 特性 |
|---|---|---|
| SCE 系列 （過硫酸鹽系統） | 適用於晶圓製程之酸性銅蝕刻液。 |
1. 不含雙氧水，蝕刻壽命長 2. 蝕刻速率可接受客製化調整 |
| SCE 系列 （雙氧水系統） | 適用於晶圓製程之酸性銅蝕刻液。 |
1. 含有雙氧水，可達成較高之蝕刻速率 2. 蝕刻速率可接受客製化調整 |
| STE 系列 （含氟鹽） | 適用於晶圓製程之酸性鈦蝕刻液。 |
1. 不含氫氟酸 2. 蝕刻速率可接受客製化調整 |
| STE 系列 （含氫氟酸） | 適用於晶圓製程之酸性鈦蝕刻液。 |
1. 含氫氟酸。常溫下，可實現較高之蝕刻速率 2. 目標蝕刻速率可接受客製化調整 |
| STE 系列 （含鹼鹽） | 適用於晶圓製程之鹼性鈦蝕刻液。 |
1. 雙劑型操作 2. 隨操作溫度調整，可達成高較之蝕刻速率 |
| SAE 系列 | 適用於晶圓製程之酸性鋁蝕刻液。 |
1. 單劑型 2. 蝕刻速率，可接受客製化調整 |
| SSE系列 （含氨水） | 適用於封裝製程之鹼性銀蝕刻液。 |
1. 雙劑型操作 2. 可快速去除因切割製程出現之銀質毛刺 |
| SSE系列 （含螯合鹽） | 適用於鐵鎳底材之中-弱酸性銀蝕刻液。 |
1. 雙劑型操作 2. 可快速去除銀層，且不傷鐵鎳底材。 |