光刻胶涂布；有两个衡量指标：厚度(THK) 与均匀度 (Uniformity)。
光刻胶涂布时的用量，只有与能否覆盖整片晶圆有关，但是在旋涂的过程中，约有40~70%是洒出去的。
厚度与旋转有关，Rotating speed；均匀度则与recipe的设置有关，一般的Coater，转速的限制在500～3000rpm。

 

 

EBR ＝ Edge Bead Remover。

因为旋涂中有所谓的离心力，造成光刻胶会跑到晶边与晶背，若是不除去，可能造成承接晶圆的机械手臂无法精准拿取，以及后续的热制程中，particle掉入chamber内，需要一笔非常大的维修费用与时间。 EBR是使用溶剂喷洗的。

 

 

另一种方法称为WEE，Wafer Edge Exposure，再加一层光罩，使边缘曝光，再由显影过程中一同除去。

日益和RBD-607为常见的70/30比例,也可根据不同需求做客制化的调整。