曝光的形式大致上有两种，所谓的Aligner(对准式)与Stepper(步进式)。
以正型光刻胶 (Positive tone) 为例，曝光区域是可以被显影掉，非曝光区域则是做为Hard mask用。
根据光刻胶的不同，需要不同的光源 (Light source)與曝光能量 (Exposure dose)。
以DNQ-Novalak型光刻胶为例，在曝光过程中，感光剂 DNQ，会进行光化学反应，形成所谓的光酸，Photo-acid。

 

 

正型光刻胶下，显影就是将曝光区域除去；而负型光刻胶则是去除未曝光区域。
曝光区与非曝光区在显影过程中，就是一个溶解选择比的问题。
曝光区域中因为光化学反应产生了所谓的光酸，在显影过程中，就会有酸碱中和的反应，产生了盐类，之后就容易被DI所洗掉；故显影液皆为碱性水溶液。
假设显影液对于光刻胶的溶解率为S；在曝光区域，S会变大；而非曝光区域S则变小，原因在于DNQ与Novolak在碱性环境下会有AZO coupling。

 

                                                       

 

 

显影液的选择对于光阻的图形，制程上的便利性与可靠性都有很大的关系。
日益和显影液包含了MIF与MIC两大类。 MIF，Metal Ion Free，即TMAH，提供客户标准2.38%，0.261N的TMAH，同时间也提供25%TMAH做稀释使用，添加剂部分则根据制程的考量，如降低对金属的腐蚀与减低表面张力等。
SBD－700系列为MIC，Metal Ion Containing developer。包含钾盐与钠盐为基础的不同水溶液，可以根据客户的需求做配置。