产品介绍
Product铜蚀刻：
可满足一般封装制程之RDL、Copper Pillar Bump、LF Bump制程需求之外，对于半导体先进封装制程，例如Fine Line RDL、Cu/Ni/Au RDL、Microbump、Ni/Au Pad组件亦有相对应之产品。
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钛蚀刻：
封装制程中的UBM结构（Under Bump Metallization），常以溅镀钛层作为溅镀铜层与底材之间的黏着层与扩散阻障层。 钛蚀刻异常，可能造成元件短路，抑或是影响到其可靠度。 目前可提供氢氟酸、酸性氟盐系统之钛蚀刻液，能有效抑制对Cu、Al、Lead frame solder的蚀刻。 当客户端无法有效处理含氟废水时，亦可提供碱性，搭配双氧水之钛蚀刻液作为解决方案。
其他应用范例如下
高速铜蚀刻应用（去铜刺）：
高速銀蝕刻應用（去銀刺）：
| 品名 | 簡介 | 特性 |
|---|---|---|
| SCE 系列 （过硫酸盐系统） | 适用于晶圆制程之酸性铜蚀刻液。 |
1. 不含双氧水，蚀刻寿命长 2. 蚀刻速率可接受客制化调整 |
| SCE 系列 （双氧水系统） | 适用于晶圆制程之酸性铜蚀刻液 |
1. 含有双氧水，可达成较高之蚀刻速率 2. 蚀刻速率可接受客制化调整 |
| STE 系列 （含氟盐） | 适用于晶圆制程之酸性钛蚀刻液。 |
1. 不含氢氟酸 2. 蚀刻速率可接受客制化调整 |
| STE 系列 （含氢氟酸） | 适用于晶圆制程之酸性钛蚀刻液。 |
1. 含氢氟酸。常温下，可实现较高之蚀刻速率 2. 目标蚀刻速率可接受客制化调整 |
| STE 系列 （含碱盐） | 适用于晶圆制程之碱性钛蚀刻液。 |
1. 双剂型操作 2. 随操作温度调整，可达成高较之蚀刻速率 |
| SAE 系列 | 适用于晶圆制程之酸性铝蚀刻液。 |
1. 单剂型 2. 蚀刻速率，可接受客制化调整 |
| SSE系列 （含氨水） | 适用于封装制程之碱性银蚀刻液。 |
1. 双剂型操作 2. 可快速去除因切割制程出现之银质毛刺 |
| SSE系列 （含螯合盐） | 适用于铁镍底材之中-弱酸性银蚀刻液。 |
1. 双剂型操作 2. 可快速去除银层，且不伤铁镍底材 |